[据今日半导体网站2016年7月4日报道]英国仪器公司操纵其纳米尝试室纳米级发展体系，启动了二硫化钼发展工艺钻研。
单层硫化钼是一种间接带隙半导体资料，正在光电范畴拥有普遍的使用，如发光二级光、光伏电池、光探测器、生物传感器等，而多层二硫化钼是一种非间接带隙半导体，有望用于将来的数字电子手艺。
仪器公司暗示，该公司曾经开展了普遍的钻研，对化学气相淀积工艺进止了优化，开辟了纳米尝试室体系，这一体系可以或许处置普遍范畴的液态/固态/金属-有机资料，折用于二维资料发展。该体系可以或许供给正在蓝宝石、原子层淀积铝（氧化铝战氧化硅）等各种衬底上发展的威力，二硫化钼涂层工艺也可以或许淀积硫化钨、学涂层的就业二硫化钼等二维过渡金属硫化物。
该工艺的开辟及其曾经颠终验证的极端令人振奋，由于纳米尝试室等离子处置体系的二维资料处置威力进入到了一个新阶段。拉曼阐发表了然单层资料的高品质，原子力显微镜表了然薄膜的滑润战总歧性。该公司等候二维资料发展工艺的开辟，将鞭策下一代纳米电子器件的开辟。（工业战消息化部电子科学手艺谍报钻研所 王巍）